GaAs-In 金属-半导体异构结构中异常光导电现象的有限元建模
材料科学
2009-11-11 v4
摘要
我们详细讨论了异常光导电 (EOC)。通过由 GaAs 和 In 组成的宏观金属-半导体混合结构获得的实验数据经 Ar 离子激光照射后进行测量。使用有限元方法 (FEM) 的漂移扩散模型能够较好地拟合实验数据。探讨了 EOC 随激光位置、偏置电流、激光功率密度和温度的变化。电压的位置依赖性通过 Dember 效应来解释，模型包含基于载流子迁移率及其平均自由程的剩余空穴分布。发现偏置电流产生线性电压偏移，不影响 EOC。在裸设备和混合器件中，激光功率密度与电压之间存在线性关系。该关系在模型中通过与功率密度相关的生成率参数来实现。 Incorporating 迁移率和扩散的温度依赖性，模型能够直接再现 EOC 的温度依赖性，而无需使用拟合参数。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0602149,
title = {Finite element modeling of extraordinary optoconductance in GaAs-In metal-semiconductor hybrid structures},
author = {K. A. Wieland and Yun Wang and S. A. Solin and A. M. Girgis and L. R. Ram-Mohan},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0602149},
year = {2009}
}
备注
8 Pages, 7 figures; More detailed title, typos fixed, figures fixed