Ca2RuO4 带填充控制
强关联电子
2009-10-31 v1 材料科学
摘要
我们通过浮动区方法生长了 electron 掺杂体系 Ca2-xLaxRuO4 (0.00 <= x <= 0.20) 的单晶。第一阶金属/非金属相变和canning 亚磁序在 0.00 < x < 0.15 时发生，类似于带宽控制体系 Ca2-xSrxRuO4 (CSRO) 中的情况。然而，与 CSRO 比较，我们发现相邻于非金属基态具有canning 亚磁序的金属基态具有截然不同的特性。与 CSRO (0.20 <= x < 0.50) 中发现的短程亚磁关联不同，本体系的金属基态以强鲁茨金斯关联为特征。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0008331,
title = {Filling Control of the Mott Insulator Ca2RuO4},
author = {Hideto Fukazawa and Yoshiteru Maeno},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0008331},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 8 figures (eps), submitted to J. Phys. Soc. Jpn