少层碲：具有显著物理性质的类一维层状单质半导体

少层碲是一种单质半导体，继承了黑磷（BP）所具有的大多数显著物理性质，并且可以通过简单的基于溶液的方法可行地合成。它由非共价结合的平行Te链组成，其中出现了类共价特征。我们相信，这一特征是先前发现的类共价准键合（CLQB）的又一例证，其中确实发生了波函数杂化。这种链间CLQB的强度与链内共价键的强度相当，导致了几种碲同素异形体的紧密稳定性。它还引入了可调带隙，从近乎直接的0.31 eV（块体）到间接的1.17 eV（2层）变化，以及在第一布里渊区中四个（两个）复杂的、高度各向异性和层依赖的空穴（电子）口袋。它还表现出非凡的高空穴迁移率（~10$^5$ cm$^2$/Vs）以及沿非共价结合方向的强光学吸收、近乎各向同性和层依赖的光学性质、超过20%的大理想强度、比BP更好的环境稳定性，以及层间剪切和呼吸模式力常数的异常交叉。所有这些结果表明，少层Te是一种具有超高迁移率、高光吸收、本征各向异性、低成本制备、可调带隙、更好环境稳定性和近乎直接带隙的半导体。这种“类一维”少层Te，以及其他几何相似的层状材料，可能促进新一代层状材料的出现。