基于 Fe/MgO 双隧道结的自旋二极管
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v2
摘要
我们展示了一种由无半导体的纳米级 Fe/MgO 双隧道结构成的自旋二极管。该器件表现出近完美的自旋阀效应与强二极管效应的结合。与我们的数据一致的机制是，通过由不同自旋依赖透射率的隧道势垒夹在中间的铁磁层中的离散态发生共振隧穿。观测到的磁阻创纪录地高达约 4000%，这实质上使该结构成为一种开/关自旋开关。这与强二极管效应（约 100）相结合，提供了一种新器件，有望应用于磁随机存取存储器和可重编程逻辑等技术。
引用
@article{arxiv.0705.2375,
title = {Spin Diode Based on Fe/MgO Double Tunnel Junction},
author = {A. Iovan and S. Andersson and Yu. G. Naidyuk and A. Vedyaev and B. Dieny and V. Korenivski},
journal= {arXiv preprint arXiv:0705.2375},
year = {2015}
}
评论
14 pages