单个InGaAs量子点中空穴自旋的快速高保真度初始化
介观与纳米尺度物理
2015-05-19 v2 其他凝聚态物理
摘要
我们通过施加平行于生长方向的磁场，展示了在InGaAs量子点中捕获的单个空穴自旋的快速初始化，保真度F>99%。我们表明，通过光生电子-空穴对的电离制备的空穴自旋的保真度受到各向异性交换相互作用导致的激子自旋进动的限制。
引用
@article{arxiv.1006.5842,
title = {Fast high fidelity hole spin initialization in a single InGaAs quantum dot},
author = {T. M. Godden and S. J. Boyle and A. J. Ramsay and A. M. Fox and M. S. Skolnick},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.5842},
year = {2015}
}