量子点中的Fano共振：势散射的非微扰作用
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1 强关联电子
摘要
我们考虑存在两个隧穿路径时通过量子点的输运物理。第一个路径看到电子跳入和跳出量子点，而第二个路径通过一个类似势散射的项来建模。为了研究势散射的影响，我们采用了安德森模型的一个修正版本。该模型可以通过Bethe ansatz精确求解，从而允许对零温线性响应电导进行全面而精确的分析。我们发现输运性质对势散射项的引入极其敏感。事实上，这种散射项的存在，除其他外，会引发一系列一级量子相变。聚焦于量子点的近藤区，势散射的非微扰效应可以直接与安德森模型中粒子-空穴对称性的破缺以及电荷和自旋自由度的相互关联联系起来。对势散射的敏感性也反映在一组互补的精确对角化计算中。该分析的结果扩展到对量子点中Fano共振的普遍观察，以及通过嵌入Aharonov-Bohm环中的量子点的输运物理。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0401617,
title = {Fano Resonances in Quantum Dots: A Non-Perturbative Role for Potential-Like Scattering},
author = {Robert M. Konik},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0401617},
year = {2007}
}
备注
PRB revtex, 42 pages, 25 figures