半导体量子点中的载流子 - 载流子纠缠与输运共振

我们从理论上研究了从源引线入射的电子与束缚在连接两个引线的量子点基态中的另一个电子之间散射所产生的纠缠。分析了传输谱中不同类型的共振以及散射通道数量对两个全同载流子之间量子关联量的作用。结果表明，其能态之间的纠缠对 Breit-Wigner 共振的存在不敏感，而在 Fano 峰对应处表现出特殊行为：对于双通道散射，表现为由一个极小值隔开的两个邻近极大值；对于多通道散射，则表现为单个极大值。这种行为归因于表征这两种共振的不同机制。我们的结果表明，通过外场操纵 Fano 共振，可以控制量子点结构中纠缠的产生与探测。