半导体碳纳米管中静态量子比特与飞行量子比特的纠缠
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v2 强关联电子
量子物理
摘要
可以通过位于半导体单壁碳纳米管上处于自旋零态的两个电子来产生纠缠。这两个电子一个位于导带中浅势能阱中，另一个被注入导带中，受库仑相互作用耦合。传输与纠缠均取决于势阱特性，这些特性可通过局部栅极控制，并取决于注入电子的动能。在不同程度的电子关联 regime 下， exhibit 完全或部分纠缠。在后者情况下，可估计最大纠缠程度作为缝子-三角谱共振对宽度和分离的函数。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0511126,
title = {Entanglement between static and flying qubits in a semiconducting carbon nanotube},
author = {D. Gunlycke and J. H. Jefferson and T. Rejec and A. Ramsak and D. G. Pettifor and G. A. D. Briggs},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0511126},
year = {2007}
}
备注
17 pages and 12 figures, accepted to J. Phys. Cond. Mat