磁性超材料中的法诺共振

我们研究了磁感应平面波与耦合到一维开口环谐振器阵列的内部（外部）电容（电感）缺陷的散射。我们考察了一些发生法诺共振的简单缺陷构型，并研究了透射系数作为可控外部参数函数的行为。我们发现，对于嵌入式电容缺陷，需要引入少量与次近邻的耦合才能产生法诺共振。对于外部电感缺陷，法诺共振是常见的，并且可以通过改变缺陷与SSR阵列之间的相对取向或距离来调谐。