密度泛函理论与杂化方法中拓扑绝缘体的假阳性与假阴性判定
材料科学
2015-05-27 v3
摘要
尽管密度泛函理论（DFT）众所周知存在带隙低估问题，但近期它仍被用于判断各种材料的拓扑序。在此，使用更准确的准粒子GW方法揭示了少数DFT判定为假阳性的情况，这可能会误导对在DFT中为拓扑绝缘体（TI）而实际上预期并非TI的材料的实验搜索。我们还展示了由于晶体结构选择不当导致的假阳性情况，并探讨了这种晶体结构选择相对于基态结构以及相对于二元竞争相的热力学不稳定性的相关性。我们得出结论，为了预测新的TI，必须同时考虑正确的基态晶体结构和正确的哈密顿量。
引用
@article{arxiv.1101.3734,
title = {False-positive and False-negative assignments of Topological Insulators in Density-Functional Theory and Hybrids},
author = {Julien Vidal and Xiuwen Zhang and Liping Yu and Jun-Wei Luo and Alex Zunger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.3734},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 2 Figures, 2 Tables