利用化学机械抛光制备超高Q值二氧化硅微盘
光学
2021-08-11 v1 材料科学
摘要
在此我们证明，在传统光刻工艺中增加化学机械抛光（CMP）步骤，可以制备出具有超高品质因子（）的二氧化硅微盘。通过与在970~nm处测量的本征光学品质因子（Q）比较，我们观察到由于表面粗糙度显著降低，在1550~nm波长处，腔体表面的水分子吸收取代瑞利散射成为Q值退化的主导因素。
引用
@article{arxiv.2104.05227,
title = {Fabrication of Ultra-High Q Silica Microdisk Using Chemo-Mechanical Polishing},
author = {S. Honari and S. Haque and Tao Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.05227},
year = {2021}
}
备注
3 pages, 2 figures