伪自旋MOSFET的制备与表征
材料科学
2009-10-29 v1
摘要
近年来，自旋晶体管作为未来集成电路的高功能构建模块受到了广泛关注。为了实现自旋晶体管，建立半导体沟道的高效自旋注入/检测技术至关重要。然而，由于铁磁体/半导体界面相关的若干问题，这一挑战并不容易。在本文中，我们展示了伪自旋MOSFET架构，这是一种使用普通MOSFET和磁隧道结来再现自旋晶体管功能的新电路方法。
引用
@article{arxiv.0910.5238,
title = {Fabrication and characterization of pseudo-spin-MOSFET},
author = {Y. Shuto and R. Nakane and H. Sukegawa and S. Yamamoto and M. Tanaka and K. Inomata and S. Sugahara},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.5238},
year = {2009}
}
备注
Presented at Intl. Conf. on Silicon Nano Devices in 2030, Tokyo, October 13-14, 2009, pp. 148-149