光纤尖端制造与表征

我们展示了使用两种步骤化学刻蚀技术制造光纤尖端 (ONFT) 的方法。该技术分别采用30%和24%氟化氢 (HF) 酸进行第一步和第二步。在第一步中，将直径为125 μm、芯直径为10 μm的硅单模光纤浸泡于HF酸中90分钟。经处理后，光纤直径减小至45 μm。在第二步中，对该光纤再次浸泡于HF酸中60-80分钟，通过控制刻蚀时间以获得ONFT所需的尖端直径。我们通过测量光学传输和表面形貌来表征制造的ONFT。观察到的光学传输效率超过30%，尖端直径小于500 nm。测量结果清晰地揭示了所采用技术的优势，由于其操作简单且成本效益高。由于ONFT尖端处电磁场的强制约束，这些结构构成了多功能的平台，具有感测、光子器件和量子光学等应用潜力。