SET 晶体管中微波增强共隧穿的实验研究
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
共隧穿是将单电子隧穿器件应用于计量学和电子学时的一种重要误差过程。在此，我们展示了关于相干微波绝热增强共隧穿理论的实验研究。研究了其对温度、栅极电压、频率和施加微波功率的依赖关系。在低温和施加功率水平下，结果与理论一致，仅将微波线中未知的阻尼作为自由参数。然而，结果表明温度、频率和微波功率的影响并非相互独立，这与理论的推测相反。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0207639,
title = {Experimental Investigation of Microwave Enhanced Cotunneling in SET Transistors},
author = {Martin Manscher and Marko T. Savolainen and Jesper Mygind},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0207639},
year = {2007}
}
备注
9 pages, 8 eps figures, Latex/RevTeX, to be submitted to Phys. Rev. B