耦合 InAs/InP 自组装量子线中的激子
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
在包含应变效应的单带有效质量近似下，研究了耦合 InAs/InP 自组装量子线中的光学跃迁。研究了垂直和水平耦合的量子线，并计算了基态、激发态和光致发光峰能量。在可能的情况下，我们与现有的光致发光数据进行了比较，并据此确定了量子线的高度。对于垂直耦合的量子线，发现激发态能量出现反交叉，表明激子波函数对称性发生变化。这种交叉是两种不同耦合机制的特征。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0702206,
title = {Excitons in coupled InAs/InP self-assembled quantum wires},
author = {Y. Sidor and B. Partoens and F. M. Peeters and T. Ben and A. Ponce and D. L. Sales and S. I. Molina and D. Fuster and L. Gonzalez and Y. Gonzalez},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0702206},
year = {2007}
}
备注
8 pages, 8 figures. To appear in Physical Review B