van Hove 奇点系统中激子与中子形成

我们研究了van Hove奇点（VHS）在系统电子能带结构中对激子与中子形成及其性质的作用。我们考虑（i）马斯西anned-hat型能带中呈现VHS的价带的不同参数，以及（ii）常规VHS或高阶VHS（HOVHS）的存在。我们发现，对于给定自旋退极的马斯西anned-hat型价带，其中可形成中子和激子，随着马斯西anned-hat型能带变窄，中子形成变得更有利。我们还表明，如果电子能带结构包含HOVHS，则激子和中子色散也会包含此类奇点。因此，价带中的HOVHS可适当地改变绑定态粒子的态密度（DOS），并导致新状态的生成，这可能影响系统的光学性质。我们的工作提供了一种途径，说明哪些包含此类奇点的2D量子材料可以被工程化以偏好特定的绑定态，从而为这些材料开辟出新的潜在应用之路。