空穴诱导的 Van Hove 奇点与碳纳米管 K 边细结构错位
材料科学
2024-09-27 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了单壁碳纳米管 (SWCNTs) 导带态密度函数中 Van Hove 奇点 (VHSs) 与 K 边细结构之间的关系。为此，我们采用最终态近似和 Bethe-Salpeter 方程 (BSE) 方法对 SWCNTs 的 X 射线吸收光谱进行建模。两种方法均能再现实验细结构，其中 BSE 结果在峰位和振幅比上均优于最终态近似。当细结构与 VHSs 相关时，发现显著差异。我们认为这些差异源于由于在周向约束下导致核心激子波函数修正。此外，我们分析了 SWCNTs 中核心激子的性质，发现第一个明亮激子为 Frenkel 激子，而更高能激子为电荷共振态。最后，我们指出，在连续 VHSs 之间存在较大能隙时，基于态密度函数中 VHSs 的定性图景仍然适用。
引用
@article{arxiv.2409.17619,
title = {Core-hole induced misalignment between Van-Hove singularities and K-edge fine structure in carbon nanotubes},
author = {Martin Unzog and Alexey Tal and Pedro Melo and Ryosuke Senga and Kazu Suenaga and Thomas Pichler and Georg Kresse},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.17619},
year = {2024}
}
备注
12 pages, 8 figures