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Be 薄膜关联绝缘相中交换场介导的磁电阻

介观与纳米尺度物理 2012-11-27 v1

摘要

我们展示了铁磁体与具有不同无序度的顺磁金属之间邻近效应的研究。将薄铍 (Be) 薄膜沉积在 5 nm 厚的铁磁绝缘体 EuS 层上。这种双层结构在低电阻 Be 薄膜中诱导了几个特斯拉的交换场 HexH_{ex},其面电阻 RRQR\ll R_Q,其中 RQ=h/e2R_Q=h/e^2 为量子电阻。我们表明 HexH_{ex} 在非常高电阻的薄膜中依然存在,事实上,它似乎对 Be 的无序度相对不敏感。我们利用这一事实,在 RRQR\gg R_Q 的 Be 薄膜关联绝缘相中产生了巨大的低场磁电阻。

关键词

引用

@article{arxiv.1211.1663,
  title  = {Exchange Field-Mediated Magnetoresistance in the Correlated Insulator Phase of Be Films},
  author = {T. J Liu and J. C. Prestigiacomo and Y. M. Xiong and P. W. Adams},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1211.1663},
  year   = {2012}
}

备注

To be published in Physical Review Letters