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磁条纹畴阵列的精确渐近行为

材料科学 2015-06-12 v1

摘要

本文研究了具有单轴磁各向异性的薄膜和平板中磁条纹畴行为的经典问题。在畴周期变得很大的区域中,推导出了条纹畴宽度作为外加垂直场 HH 函数的精确解析结果。条纹周期发散为 (HcH)1/2(H_c-H)^{-1/2},其中 HcH_c 是临界(无限周期)场,这一精确结果证实了先前的猜想。磁化强度以 (HcH)1/2(H_c-H)^{1/2} 的方式趋近饱和,该行为与针对 4μ4 \mum 厚铁氧体石榴石薄膜获得的实验数据吻合极好。该精确解析解为单轴磁性薄膜和平板的精确表征提供了新基础,并通过一种测量畴壁能的简单方法进行了说明。该数学方法适用于对形成条纹畴相的具有竞争相互作用的广泛类系统进行类似分析。

关键词

引用

@article{arxiv.1211.1366,
  title  = {Exact asymptotic behavior of magnetic stripe domain arrays},
  author = {Tom H. Johansen and Alexey V. Pan and Yuri M. Galperin},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1211.1366},
  year   = {2015}
}

备注

4 pages, 4 figures