III-V 磁性半导体中的磁域

T. Dietl; Jürgen König; A. H. MacDonald

doi:10.1103/PhysRevB.64.241201

III-V 磁性半导体中的磁域

材料科学 2009-11-07 v2 强关联电子

作者: T. Dietl , Jürgen König , A. H. MacDonald

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摘要

我们利用对III-V磁性半导体磁各向异性和刚性的最新理论进展，预测磁域特性及其调控方法。我们计算了垂直薄膜中磁壁宽度、能量以及条纹磁域的周期。计算得到的条纹宽度 d = 1.1 μm（Ga_0.957Mn_0.043As/In_0.16Ga_0.84As）与Shono等人[应用物理快报 77, 1363 (2000)]实验测得的1.5 μm值相当。

关键词

磁各向异性磁域 III-V 磁性半导体磁壁条纹磁域

引用

@article{arxiv.cond-mat/0107009,
  title  = {Magnetic domains in III-V magnetic semiconductors},
  author = {T. Dietl and Jürgen König and A. H. MacDonald},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0107009},
  year   = {2009}
}

备注

4 RevTex pages, 2 figures spelling of author's names corrected in abstract page

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