高压硅垂直 JFET 辐射硬度的评估
仪器与探测器
2020-12-30 v1 高能物理 - 实验
摘要
在未来的 ATLAS 内部径迹探测器中，每个硅条模块将配备一个开关，能够在传感器发生故障时将高压电源与传感器隔离。该开关置于高压电源与传感器之间，需要在关断状态下承受高压，在导通状态下为传感器漏电流提供低阻通路，并且与其他要求一起辐射硬度需达到 1.2e15 neq/cm2。虽然 GaN JFET 已被选为合适的抗辐射开关，但布鲁克海文国家实验室开发了硅垂直 HV-JFET 作为替代方案。辐照前结果表明该器件的功能性，并证明硅 HV-JFET 满足开关的辐照前要求。为评估其辐照后的适用性，已在 Jozef Stefan 研究所（JSI，卢布尔雅那，斯洛文尼亚）对若干 p 型 HV-JFET 进行了中子辐照。本文报道了这些辐照后器件的静态表征，以及用于深入理解辐照后行为背后物理机制的 TCAD 数值模拟。
引用
@article{arxiv.2007.10892,
title = {Evaluation of Radiation Hardness of High-Voltage Silicon Vertical JFETs},
author = {Gabriele Giacomini and Marco Bomben and Wei Chen and David Lynn},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.10892},
year = {2020}
}