对 Acrorad 公司 5 mm 厚 CdTe 检测器的评估
天体物理学
2007-05-23 v1
摘要
我们利用来自 Acrorad 公司的 2.0 cm×2.0 cm×0.5 cm 镉硒（CdTe）基片，制作了具有平面阴极接触和 8×8 anode 像素的探测器。研究了不同接触材料和表面处理对探测器 I-V 特性和能量分辨率的影响。实验显示，在一定偏置时间后，探测器的暗电流显著增加。我们的研究表明，探测器在更高温度和更大偏压电压下的击穿前等待时间更短。我们通过将探测器加热至 90℃ 30 分钟后再沉积 In 接触，获得了最佳结果。使用 662 keV X 射线散射照明探测器，测量了脉冲长度分布并推导出电子迁移率约为 860 cm²/V/s。我们指出，通过校正原始相互作用位置的 anode 信号，可提高能量分辨率。在 -40℃ 工作、阴极偏置为 -500 V 时，最佳探测器的最佳像素在 122 keV 和 662 keV 处分别实现了全宽半高（FWHM）能量分辨率为 8 keV（6.4%）和 23 keV（3.4%）。
引用
@article{arxiv.astro-ph/0511577,
title = {Evaluation of 5 mm-thick CdTe Detectors from the Company Acrorad},
author = {A. B. Garson and I. V. Jung and J. Perkins and H. Krawczynski},
journal= {arXiv preprint arXiv:astro-ph/0511577},
year = {2007}
}