通过空位工程增强 SrRuO$_3$ 薄膜中的范霍夫奇点
强关联电子
2025-06-03 v1
摘要
平带以其局域化的电子态和范霍夫奇点为特征，为探索多体物理提供了一个理想的平台。然而，存在平带的过渡金属氧化物相当罕见。在本研究中，我们探究了 SrRuO 薄膜中现有近平坦带的起源，并展示了如何通过结构修饰来增加其数量。使用复现实验能带结构的紧束缚模型，我们分析了 SrRuO 单层，揭示了其沿 和 方向的 NFBs 的起源。这些 NFBs 源于稳定条带型紧致局域态的相消干涉。通过引入周期性的 Ru 位空位，生成了额外的 NFBs，根据其在布里渊区的覆盖范围，这些 NFBs 被分类为部分或完全的。我们识别了与这些 NFBs 相关的紧致局域态，从而深入理解了它们的物理起源。对于 4 层 SrRuO 多层膜，我们发现了许多沿 X 和 XM 方向的部分 NFBs，并揭示了它们形成的独特起源。我们的发现突显了在 SrRuO 薄膜中工程化平带的潜力，为探索关联电子相和扩展平带物理的材料平台提供了新机遇。
引用
@article{arxiv.2506.01894,
title = {Enhancing van-Hove singularities in SrRuO$_3$ films by vacancy engineerings},
author = {Moon Hyoung Lee and Hyungwoo Lee and Jun-Won Rhim},
journal= {arXiv preprint arXiv:2506.01894},
year = {2025}
}