准一维BiSeI线材中增强的光电性能与光门控效应

准一维（quasi-1D）材料是低维研究中的一个新兴课题。由于维度降低和各向异性增强，准一维结构产生了新颖的性质和有前景的应用，例如光电探测器。然而，当沟道材料尺寸缩小时是否会发生性能交叉仍是一个开放问题。在此，我们报道了基于剥离准一维 BiSeI 细线材的光电探测器的制备与测试。与块体晶体上的器件相比，观察到显著增强的光响应，这表现为一系列性能参数，包括当 $V_{\textrm {ds}}$ = 3 V、$\lambda$ = 515 nm 且 $P$ = 0.01 mW cm$^{-2}$ 时的超高响应度（7 x 10$^4$ A W$^{-1}$）、比探测率（2.5 x 10$^{14}$ Jones）和外量子效率（1.8 x 10$^7$%）。传统的光电导效应难以解释如此优异的光响应，其最终通过比表面积的增加以及由陷阱态引起的光门控效应得以理解。本工作为准一维材料中光电性质与性能的调控提供了视角。