12 nm FinFET 工艺下的增强型 LPDDR4X PHY
硬件体系结构
2025-03-18 v1
摘要
对高带宽、低功耗及高可靠性存储技术的需求催生了 LPDDR4X DRAM 存储器。然而，功率效率与可靠性不仅取决于存储器件本身，还依赖于其接口设计。为实现对 LPDDR4X DRAM 器件的先进监控与接口调优，我们提出了一种基于 12 nm FinFET 工艺实现的 LPDDR4X PHY。其 RISC-V 子系统提供软件控制的 DRAM 接口访问，并具备外部接口以连接附加传感器，用于监控 LPDDR4X DRAM 器件的温度与电流消耗。
引用
@article{arxiv.2503.11654,
title = {Enhanced LPDDR4X PHY in 12 nm FinFET},
author = {Johannes Feldmann and Jan Lappas and Mohammadreza Esmaeilpour and Hussien Abdo and Christian Weis and Norbert Wehn},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.11654},
year = {2025}
}
备注
RISC-V Summit Europe, Munich, 24-28th June 2024