Cu 掺杂钝化 GaN 纳米线中增强的铁磁稳定性
材料科学
2008-07-08 v1
摘要
进行了密度泛函计算以研究 GaN:Cu 纳米线 (NWs) 中的室温铁磁性。结果表明，当两个 Cu 掺杂剂彼此靠近时最为稳定。与体相 GaN:Cu 相比，我们发现 Cu 掺杂纳米线中的磁化和铁磁性显著增强，这是由于纳米线的一维特性导致 Cu td 能带宽度减小所致。表面钝化被证明对于维持 GaN:Cu 纳米线中的铁磁性至关重要。这些发现与实验观察高度一致，并表明此类系统中的铁磁性可以通过控制主体材料的尺寸或形状来进行调控。
引用
@article{arxiv.0807.0918,
title = {Enhanced Ferromagnetic Stability in Cu Doped Passivated GaN Nanowires},
author = {H. J. Xiang and Su-Huai Wei},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.0918},
year = {2008}
}
备注
Nano Lett., ASAP Article, 10.1021/nl080261n