实现 Fe 掺杂 ZnO:Cu 中室温铁磁性的关键

S-J. Han; J. W. Song; C. -H. Yang; S. H. Park; J. -H. Park; Y. H. Jeong

doi:10.1063/1.1525885

实现 Fe 掺杂 ZnO:Cu 中室温铁磁性的关键

强关联电子 2009-11-07 v1 材料科学

作者: S-J. Han , J. W. Song , C. -H. Yang , S. H. Park , J. -H. Park , Y. H. Jeong

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摘要

本文报道了室温铁磁半导体 Zn $_{1-x}$ Fe $_{x}$ O 的成功合成。研究发现，在块体 Zn $_{1-x}$ Fe $_{x}$ O 中实现室温铁磁性的关键条件是附加 Cu 掺杂。在 Zn $_{0.94}$ Fe $_{0.05}$ Cu $_{0.01}$ O 中获得了高达 550 K 的转变温度；室温下的饱和磁化强度达到每个 Fe 原子 $0.75 \mu_{\rm B}$ 。此外，在 $100$ K 以下也观察到了大的磁阻效应。

关键词

室温铁磁性 Fe 掺杂 ZnO Cu 掺杂稀磁半导体磁阻

引用

@article{arxiv.cond-mat/0208399,
  title  = {A key to room-temperature ferromagnetism in Fe-doped ZnO: Cu},
  author = {S-J. Han and J. W. Song and C. -H. Yang and S. H. Park and J. -H. Park and Y. H. Jeong},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0208399},
  year   = {2009}
}

备注

11 pages, 4 figures; to appear in Appl. Phys. Lett

实现 Fe 掺杂 ZnO:Cu 中室温铁磁性的关键

摘要

关键词

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