强应变 L10-MnAl 薄膜中极向磁光克尔效应的调控
材料科学
2016-11-15 v4
摘要
我们报道了在垂直磁化的 L10-MnAl 外延薄膜中，通过改变分子束外延生长过程中的衬底温度 (Ts)，实现了对磁化强度、应变和结构无序度的显著调控，从而对极向磁光 (MO) 克尔效应进行了设计。随着 Ts 从 150 °C 升高到 350 °C，克尔旋转角增强了多达 5 倍，这是磁化强度改善的直接结果。在克尔椭圆率和复克尔角的大小上也观察到了类似的显著调控效应，而复克尔角的相位似乎与磁化强度无关。良好的半导体兼容性、0.3-8.2 kOe 的中等矫顽力、高达约 0.034° 的可调极向 MO 克尔效应以及高达约 180 GHz 的巨大自旋进动频率，使得 L10-MnAl 薄膜成为一种非常有吸引力的 MO 材料。我们的结果深入揭示了 L10-MnAl 合金中 MO 克尔效应的微观机制，及其在新兴自旋电子学和超快 MO 调制器中的科学和技术应用潜力。
引用
@article{arxiv.1607.04938,
title = {Engineering the polar magneto-optical Kerr effect in strongly strained L10-MnAl films},
author = {Lijun Zhu and Liane Brandt and Jianhua Zhao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.04938},
year = {2016}
}