外延L21-Co2MnAl薄膜中的反常电阻率上翘
材料科学
2017-01-03 v2
摘要
我们报道了高自旋极化外延L21-Co2MnAl薄膜的可控生长及其引人入胜的输运行为，该薄膜表现出低温（T）电阻率上翘，具有显著的T1/2依赖性，与结构无序密切相关，且对磁场表现出强健的独立性。该电阻率上翘在定性上与弱局域化、粒子-粒子通道电子-电子相互作用（EEI）以及轨道双通道Kondo效应相矛盾，使得三维粒子-空穴通道EEI成为最可能的物理来源。我们的结果凸显了通过改变生长温度对磁性薄膜的结构和电子无序进行可观调控的能力，从而为自旋极化和电阻率上翘提供了前所未有的见解。
引用
@article{arxiv.1611.04013,
title = {Anomalous resistivity upturn in epitaxial L21-Co2MnAl films},
author = {L. J. Zhu and J. H. Zhao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.04013},
year = {2017}
}