矩耦合庞加莱金属格子模型中对称性破缺 Chern 绝缘体的涌现
介观与纳米尺度物理
2026-02-20 v1 强关联电子
摘要
基于倾斜对齐的过渡金属硫化物(TMD)异质双层构成的莫尔半导体，提供了 Kondo 格子模型的物理实现，其中一个 TMD 层处于 Mott 绝缘态，支撑着局部磁矩晶格，另一个层处于金属态，支撑着运动载流子。人工 Kondo 格子使得我们能够探索 Kondo 坍缩附近 exotic 物质状态的可能性。在此，我们报告了在倾斜对齐的 MoTe2/WSe2 莫尔双层中，位于莫尔空穴填充因子 4/3 处出现对称性破缺 Chern 绝缘体，这实现了一个手性 Kondo 格子。该对称性破缺 Chern 绝缘体表现出在分数莫尔填充下呈现整数量化洛伦兹电导，自发地破坏了晶格的平移对称性；它还仅在磁场引起的 Kondo 坍缩附近出现，在材料的混合价态中。我们进一步展示，诱导 Kondo 坍缩并稳定对称性破缺 Chern 绝缘体所需的磁场随扭转角度的变化而变化。这些结果为探索莫尔半导体中拓扑性与 Kondo 相互作用之间的微妙相互作用提供了新的机遇。
引用
@article{arxiv.2602.17349,
title = {Emergence of a symmetry-broken Chern insulator near a moir\'e Kondo breakdown},
author = {Wanghao Tian and Bowen Shen and Lizhong Li and Mingjie Zhang and Feng Liu and Chushan Li and Yaotian Liu and Fan Xu and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Peiling Li and Li Lu and Yang Xu and Shengwei Jiang and Tingxin Li and Jie Shan and Kin Fai Mak},
journal= {arXiv preprint arXiv:2602.17349},
year = {2026}
}