低温等离子体中硅纳米颗粒凝聚的静电增强因子
介观与纳米尺度物理
2019-05-22 v1
摘要
针对典型的低温氩-硅烷等离子体条件，数值计算了不同纳米颗粒尺寸与电荷下硅纳米颗粒间静电（库仑与极化诱导）相互作用引起的凝聚增强因子。我们采用基于多极矩系数的严格公式来描述介电颗粒间的完整静电相互作用。所得相互作用势在接触点处非奇异，从而可适配轨道运动极限理论来计算增强因子。结果表明，由于诱导极化，中性-带电颗粒碰撞中的凝聚可增强达数个数量级。此外，同号带电纳米颗粒间的短程力可因纳米颗粒的介电性质而变为吸引。将多极系数势与一种可易于简化计算的近似解析形式进行比较。本文结果增进了对凝聚中静电相互作用的理解，可用于低温等离子体中以凝聚为重要过程的尘埃生长模拟。
引用
@article{arxiv.1808.07547,
title = {Electrostatic enhancement factor for the coagulation of silicon nanoparticles in low-temperature plasmas},
author = {Benjamin Santos and Laura Cacot and Claude Boucher and François Vidal},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.07547},
year = {2019}
}
备注
submitted to PSST