FeSb$_{2}$ 中的电子热电功率因子与金属 - 绝缘体转变

我们表明，FeSb$_{2}$ 单晶沿正交 c 轴电子输运的合成诱导金属 - 绝缘体转变 (MIT) 极大地提高了电导率，同时保持塞贝克系数处于相对较高水平。通过这种方式，热电功率因子在 28 K 时增强至新的纪录高点 S$^{2}$$\sigma$ $\sim$ 8000 $\mu$WK$^{-2}$cm$^{-1}$。我们发现 FeSb$_{2}$ 中的大塞贝克系数可以在具有两个带且准粒子差异巨大的关联电子模型中得到合理解释，而 MIT 则是由细微的结构差异引起的。本工作的结果证实，关联电子可以产生极端的功率因子值。