Gd 基类间金属物质 GdCu$_2$Ge$_2$ 和 GdCuAl$_3$ 的电子结构
强关联电子
2026-03-26 v1
摘要
我们报告了对 GdCuGe 和 GdCuAl 两种三元间金属物质单晶的温度依赖反射率研究，覆盖宽广的光谱范围（100-18000 cm，相当于 12 meV-2.23 eV），低至 13 K。低于 2000 cm 时，光谱由流动电荷载子的响应主导，表现出两种不同的散射率。慢速电荷载子的响应在温度上几乎没有依赖性，而更具流动性的电荷载子遵循直流电阻率，並在 GdCuAl 中显著抑制，这与该化合物的较高电阻率相符。我们将这一行为归因于因费米能级接近 van Hove 奇点而引起的电子关联增强。支持于密度泛函理论计算，我们进一步表明元素取代可描述为费米能级的刚性位移，即掺杂，而晶体对称性的变化对电子结构的影响仅有限。
引用
@article{arxiv.2603.23632,
title = {Electronic structure of Gd-based intermetallics GdCu$_2$Ge$_2$ and GdCuAl$_3$},
author = {M. Pinterić and M. Dressel and M. Wenzel and P. Puphal},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.23632},
year = {2026}
}