氰钴胺的电子结构：DFT+QMC 研究

我们利用半导体宿主中过渡金属杂质的多轨道单杂质 Haldane-Anderson 模型框架，研究了氰钴胺 ($C_{63}H_{88}CoN_{14}O_{14}P$) 的电子结构与磁关联。此处，我们首先通过进行密度泛函理论（DFT）计算来确定 Anderson 哈密顿量的参数。然后，我们使用量子蒙特卡洛（QMC）技术获得该有效模型的电子结构和磁关联函数。我们发现，对应于杂质束缚态的新电子态形成于宿主半导体最低未占据能级之上。这些新态源自钴位点的原子轨道以及分子的其余部分。我们观察到磁矩在 Co($3d_{\nu}$) 轨道及周围位点上发展。我们还观察到 Co($3d_{\nu}$) 轨道与周围原子之间存在反铁磁关联。这些反铁磁关联依赖于杂质束缚态的占据。