应变半 Heusler 合金 LiSbZn 和 LiBiZn 的电子结构与梯口态
材料科学
2025-09-26 v2 其他凝聚态物理
摘要
半 Heusler 合金是一类具有独特电子态潜力的材料。本文从第一性原理出发，研究了在中等 uniaxial 应变下，是否存在可调节的拓扑相中梯口模式的可能性。我们考虑两种化合物：LiSbZn 和 LiBiZn。虽然 LiSbZn 具有拓扑平凡的能带结构，但 Bi 的更大自旋轨道耦合导致 LiBiZn 中发生能带翻转。我们预测两种情况下都存在拓扑平凡的梯口态。梯口模式受晶体终止条件和 bulk 拓扑相位转变的影响，尽管是间接的：当存在时，拓扑表面模式会与梯口态混合并遮蔽其可见性。因此，我们发现最可见的梯口模式发生在材料中不存在能带翻转的情况下。我们的工作凸显了表面态与梯口态在半 Heusler 材料中的相互作用与竞争，可能有助于指导实验中寻找稳健边界特征的搜索。
关键词
引用
@article{arxiv.2504.20190,
title = {Electronic structure and hinge states of strained half-Heusler compounds LiSbZn and LiBiZn},
author = {Sanjib Kumar Das and Ion Cosma Fulga and Rakshanda Dhawan and Hem C. Kandpal and Jeroen van den Brink and Jorge I. Facio},
journal= {arXiv preprint arXiv:2504.20190},
year = {2025}
}
备注
12 pages, 8 figures, published version