一维螺旋晶体中的电子态：一般性质及其在 InSeI 中的应用

本文中，我们系统探究螺旋材料体系电子态的几个关键性质，包括轨道角动量（OAM）从局域原子轨道到整体螺旋结构的继承、螺旋动量的守恒，以及螺旋诱导自旋轨道耦合（hSOC）的出现。我们将此综合理论框架应用于阐明一维（1D）螺旋晶体 InSeI 的电子结构。我们的分析揭示了 hSOC 的影响，体现为通过密度泛函理论计算所得电子能带结构中的自旋混合能隙。利用紧束缚建模与第一性原理计算相结合，我们确定了 InSeI 的自旋极化电响应与手性可切换二阶光电流响应，表征为 Landauer-Buttiker 弹道输运与位移电流响应。结果凸显了一维 InSeI 在自旋电子学与光电子学中的应用潜力。本工作建立的总体理论框架将对其他螺旋电子体系的研究具有重要价值。