一维 InSeI 中的手性诱导自旋分裂
材料科学
2023-11-22 v2
摘要
手性材料中的自旋轨道耦合可诱导依赖于手性的自旋分裂，从而实现自旋极化的电学调控。在此，我们利用第一性原理计算研究了手性一维(1D)半导体 InSeI 的电子态，该材料具有左旋和右旋两种对映构型。我们发现，在左旋和右旋一维 InSeI 中存在相反的自旋态，且具有显著的自旋分裂和自旋-动量共线锁定。尽管一维 InSeI 的导带底(CBM)和价带顶(VBM)处的自旋态均近乎简并，但当沿一维链方向施加中等拉伸应变(4%)时，会发生直接带隙到间接带隙的转变，导致 CBM 处出现可观的自旋分裂(0.11 eV)。这些发现表明，一维 InSeI 是一种极具前景的手性自旋电子学材料。
引用
@article{arxiv.2308.04350,
title = {Chirality-induced spin splitting in 1D InSeI},
author = {Shu Zhao and Jiaming Hu and Ziye Zhu and Xiaoping Yao and Wenbin Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2308.04350},
year = {2023}
}
备注
6 pages, 3 figures