由原子力镜刻制造的反子晶格的电子性质
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
采用局部氧化技术通过原子力镜刻制造了反子晶格。展示了高品质的20×20有限晶格，周期为300 nm。低温磁阻显示出显著的 commensurability 振荡以及在零磁场附近磁阻加弱。此外，我们发现在温度可达1.7 K时，B 周期振荡叠加在经典 commensurability 峰上。这些观察表明样品具有高电子质量。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0108520,
title = {Electronic properties of antidot lattices fabricated by atomic force lithography},
author = {A. Dorn and A. Fuhrer and T. Ihn and T. Heinzel and K. Ensslin and W. Wegscheider and M. Bichler},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0108520},
year = {2009}
}
备注
Appl. Phys. Lett., in print