石墨烯反点阵列中的磁导振荡

通过高温升华工艺在半绝缘 4H-SiC 衬底的 C 面上形成了外延石墨烯薄膜。在这些石墨烯薄膜上制备了纳米尺度的方形反点阵列。在低温下，这些薄膜的磁导表现出显著的 Aharonov-Bohm 振荡，其周期对应于单个反点面积内增加的磁通量子。在低场下，观察到弱局域化，其可见性因反点边缘的谷内散射而增强。在高场下，我们观察到磁导中的两个独特极小值，这可归因于经典回旋轨道与反点阵列之间的可公度性振荡。所有介观特征在高达 70 K 的温度下仍存在，揭示了石墨烯独特的电子性质。