BC$_3$中II型van Hove奇点附近的电子序
超导电性
2018-05-23 v1 强关联电子
摘要
利用泛函重整化群，我们研究了当电子填充靠近 II 型 van Hove 奇点时单层 BC 中的电子不稳定性。对于有限的 Hubbard 相互作用，类铁磁的自旋密度波序在奇点紧邻处占主导。在奇点附近的其他区域，p 波超导占优。我们还发现小的近邻库仑排斥可增强超导。我们的结果表明 BC 将是实现拓扑 超导的有前景候选者，但仅当局域相互作用适度强时转变温度才具有实际可观的大小。
引用
@article{arxiv.1711.04963,
title = {Electronic orders near the type-II van Hove singularity in BC$_3$},
author = {Yao Wang and Jin-Guo Liu and Wan-Sheng Wang and Qiang-Hua Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.04963},
year = {2018}
}
备注
6 pages, 6 color figures. arXiv admin note: text overlap with arXiv:1503.00471