纳米结中的电子关联：GW近似与单杂质Anderson模型数值精确解的比较
材料科学
2008-01-17 v2 强关联电子
摘要
利用单杂质Anderson模型分析了纳米结（例如由单分子形成）中电子关联的影响。进行了数值精确的量子蒙特卡洛计算，以绘制轨道占据、线性响应电导和谱函数随库仑相互作用强度和杂质能级位置的变化关系。这些数值结果为比较包含电子关联的近似但更广泛适用的输运方法提供了一个基准。作为示例，对Anderson模型实施了自洽GW近似，并将结果与该基准进行比较。对于弱耦合或杂质几乎空或几乎满的能级位置，GW近似被发现是准确的。然而，对于中等或强耦合，GW近似不能正确描述自旋或电荷涨落的影响。在库仑阻塞平台及深入混合价态区域，谱函数和线性响应电导均不能被准确给出。
引用
@article{arxiv.0710.3153,
title = {Electronic correlation in nanoscale junctions: Comparison of the GW approximation to a numerically exact solution of the single-impurity Anderson model},
author = {Xin Wang and Catalin D. Spataru and Mark S. Hybertsen and Andrew J. Millis},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.3153},
year = {2008}
}
备注
11 pages, 10 figures