包含强关联的量子输运模拟方案及其在金表面吸附有机自由基上的应用
介观与纳米尺度物理
2017-04-05 v1
摘要
我们提出一种计算方法，用于定量描述Kondo区下纳米器件的线性响应电导。该方法依赖于一种投影方案，从密度泛函理论和非平衡格林函数计算的结果中提取Anderson杂质模型。随后通过连续时间量子蒙特卡洛求解该Anderson杂质模型。所发展的形式体系使我们能够分离对输运的不同贡献，包括相干或非相干输运通道，以及杂质与背景透射之间的量子干涉。我们将该方法应用于1,3,5-triphenyl-6-oxoverdazyl (TOV)稳定自由基分子吸附在金上的扫描隧道显微镜装置。TOV分子有一个未配对电子，当与金属电极接触时表现为典型的单Anderson杂质。我们评估了Kondo温度、有限温度谱函数和输运性质，发现与已发表的实验结果吻合良好。
引用
@article{arxiv.1701.08405,
title = {Quantum transport simulation scheme including strong correlations and its application to organic radicals adsorbed on gold},
author = {Andrea Droghetti and Ivan Rungger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.08405},
year = {2017}
}
备注
in press, Phys. Rev. B (2017)