不同晶体结构量子线阵列中的电子和空穴微带

我们考虑了由嵌入Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As中的GaAs棒组成并排列在正方形或三角形晶格位点上的量子线阵列。研究了导带底和价带顶附近的电子和空穴谱与棒形成的晶格几何结构、基质材料中Al浓度以及包括填充因子和晶格常数在内的结构参数的关系。我们的计算使用包络函数并基于有效质量近似。我们表明,由异质结构周期性产生的电子和空穴谱取决于所考虑的因素,并且晶格几何结构的影响随晶格常数显著变化。对于低晶格常数值,三角形晶格情况下的微带隙明显更宽,而对于高晶格常数值,基于正方形晶格的阵列中出现更宽的微带隙。我们分析了我们的发现对基于量子线阵列的太阳能电池效率的影响。