二维半导体 InSe 中的电子-电子相互作用
介观与纳米尺度物理
2020-09-09 v1 无序系统与神经网络
材料科学
强关联电子
摘要
二维范德华结构中的电子-电子相互作用（EEIs）是当前物理学界备受关注的课题之一。我们报道了在低场弱局域化/反局域化区域之外，多层二维半导体 InSe 中观测到的负抛物线磁阻（MR），并提供了该 MR 行为源于 EEI 的证据。进一步，我们在 Fermi 液体理论框架内分析了这一负抛物线 MR 及其他观测到的 EEI 量子输运特征（依赖于温度的电导和霍尔系数），并提取了栅压可调的 Fermi 液体参数 ，该参数量化了电子自旋交换相互作用强度。
引用
@article{arxiv.2004.10879,
title = {Electron-Electron Interactions in 2D Semiconductor InSe},
author = {Arvind Shankar Kumar and Kasun Premasiri and Min Gao and U. Rajesh Kumar and Raman Sankar and Fang-Cheng Chou and Xuan P. A. Gao},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.10879},
year = {2020}
}