分子束外延制备的 GaAs(001) 上的电子束蒸发钴薄膜

Z. Ding; P. M. Thibado; C. Awo-Affouda; V. P. LaBella

doi:10.1116/1.1771674

分子束外延制备的 GaAs(001) 上的电子束蒸发钴薄膜

介观与纳米尺度物理 2015-06-24 v1 材料科学

作者: Z. Ding , P. M. Thibado , C. Awo-Affouda , V. P. LaBella

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摘要

我们通过电子束蒸发方法在 GaAs(001) 表面沉积了 Co 薄膜。Co 薄膜的厚度通过 x 射线反射与卢瑟福背散射测量。薄膜的磁学性质使用超导量子干涉器件测量。发现薄膜的磁化强度随膜厚增加而减小。磁学性质的轻微退化归因于 Co 沉积过程中 Co 表面或 Co/GaAs 界面粗糙度的增加。

关键词

钴薄膜 GaAs(001) 电子束蒸发分子束外延 X 射线反射卢瑟福背散射磁学性质超导量子干涉器件

引用

@article{arxiv.1503.03458,
  title  = {Electron-beam evaporated cobalt films on molecular beam epitaxy prepared GaAs(001)},
  author = {Z. Ding and P. M. Thibado and C. Awo-Affouda and V. P. LaBella},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1503.03458},
  year   = {2015}
}

备注

8 pages, 4 figures

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