受主掺杂氧化铈中的机电掺杂缺陷相互作用
材料科学
2021-02-11 v1 化学物理
摘要
缺氧铈氧化物表现出一种非经典巨型机电响应，优于铅基电致伸缩材料。本工作中，我们报道了具有不同尺寸和价态的受主掺杂剂 Mg2+、Sc3+、Gd3+ 和 La3+ 在多晶块体氧化铈中的关键作用。不同掺杂剂通过改变电空间掺杂缺陷相互作用来调节电致伸缩性能。我们发现当相互作用较弱（掺杂剂-空位结合能 0.3 eV）时，存在两种截然不同的机电行为：电致伸缩表现出高达 10-17 m2V-2 的高系数，并伴随强烈的随时间依赖效应。相反，当相互作用变强（0.6 eV）时，我们未观察到随时间依赖的效应。
引用
@article{arxiv.2102.05635,
title = {Electromechanical dopant defect interaction in acceptor doped ceria},
author = {Ahsanul Kabir and Victor Buratto Tintia and Maxim Varenik and Igor Lubomirsky and Vincenzo Esposito},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.05635},
year = {2021}
}