缺陷型 Sm 与 Nd 共掺杂铈氧化物中增强的机电响应
应用物理
2020-06-17 v1
摘要
高氧缺陷的氧化铈，例如 Gd 掺杂氧化铈，是一种可持续的非经典电致伸缩体，其机电性能优于铅基压电金属氧化物。在此，我们报道了共掺杂铈氧化物（Sm, Nd）中的电致伸缩现象，其标称上具有低短程空位-掺杂剂结合能。这样一种策略导致了在较低频率下更高的电致伸缩应变系数，以及出乎意料的电致伸缩应变饱和与弛豫效应。这些结果支持了如下假设：电致伸缩受到氧空位局域环境以及内建于微结构中的离子迁移阻塞因素的强烈影响。
引用
@article{arxiv.2006.09032,
title = {Enhanced Electromechanical Response in Defective Sm and Nd Co-doped Ceria},
author = {Ahsanul Kabir and Jacob R. Bowen and Maxim Varenik and Igor Lubomirsky and Vincenzo Esposito},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.09032},
year = {2020}
}