带电Dp-膜交叉

在这篇综述中，我们介绍低能有效理论中的带电Dp-膜交叉。我们重点关注D1-D3、D1-D5和D0-D2膜。我们给出了在不存在和存在电场的情况下，通过激发D3系统中的一、二和三个标量场而得到的低能有效理论中的解构型。在后两种情况下，从D3膜视角来看，解表现为一个尖峰，该尖峰被解释为另一膜坐标叠加的附着束，作为膜沿其延伸离开D3膜的集体坐标。两种情况下的最低能量均高于D1⊥D3膜情形下所发现的能量。我们还找到了D1-D3系统中依赖于时空的解，这些解是未加电场时所得解的自然推广。然后，我们证明，在平坦背景中，通过讨论两个系统中模糊漏斗解的涨落，D1-D3和D1-D5膜满足诺伊曼边界条件。此外，我们给出了D1-D3系统中的破缺对偶性和D1-D5系统中的未破缺对偶性。在D0-D2系统中，我们通过引入一个置于球形D2膜原点处的广义联络来考虑广义麦克斯韦理论，以描述任意子，而非使用陈-西蒙斯项。D2膜获得了更高的能量，并且发现两个带相反电荷的奇异粒子之间的静态势在模糊二维球面上具有屏蔽性质，而非禁闭，后者是平面系统的一个特殊性质。