基于巨 Rashba 自旋轨道导体 BiTeBr 的电控自旋注入
介观与纳米尺度物理
2020-09-01 v1
摘要
铁磁材料是自旋电子器件中广泛使用的自旋极化电子源,其由外磁场或自旋转移力矩方法控制。然而,随着对更小、更快自旋电子组件需求的增长,利用自旋轨道现象提供了有前景的替代方案。具有独特自旋织构的新材料极为可取,因为有望实现全电学产生与控制自旋极化,其中极化强度及任意取向均可在无磁场情况下定义。本工作中,我们为此目的使用了一种新型自旋轨道晶体 BiTeBr。由于其巨大的 Rashba 自旋分裂,体自旋极化在室温下由电流产生。将 BiTeBr 晶体集成到基于石墨烯的自旋阀器件中,我们首次证明其充当电流控制的自旋注入器,为未来集成电路中的自旋电子应用开辟了新途径。
引用
@article{arxiv.2008.13764,
title = {Electrically Controlled Spin Injection from Giant Rashba Spin-Orbit Conductor BiTeBr},
author = {Zoltán Kovács-Krausz and Anamul Md Hoque and Péter Makk and Bálint Szentpéteri and Mátyás Kocsis and Bálint Fülöp and Michael Vasilievich Yakushev and Tatyana Vladimirovna Kuznetsova and Oleg Evgenevich Tereshchenko and Konstantin Aleksandrovich Kokh and István Endre Lukács and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Saroj Prasad Dash and Szabolcs Csonka},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.13764},
year = {2020}
}
备注
Main Text: 10 pages, 5 figures; Supporting Information: 12 pages, 6 figures