由铁电性诱导的CoFeB/PtSe2/MoSe2//LiNbO3体系中的逆Rashba-Edelstein THz 辐射调制
材料科学
2025-07-14 v1
摘要
基于光触发的自旋-电荷转换过程的自旋电子 terahertz（THz）发射器最近作为一种新型紧凑且高效的THz源而逐渐被人们关注。然而，进一步发展具有技术相关性的器件仍面临一个挑战，即以低能耗方式对发射进行调制。为此，耦合活性自旋轨道层（如二维过渡金属硫化物）的铁电材料是合适的候选方案。本工作报道了在双域LiNbO3基底上实现的大面积CoFeB/PtSe2/MoSe2异性结构。通过terahertz时域光谱，我们展示了铁电极化方向可对THz辐射产生显著调制。我们通过能带结构和自旋积聚计算解释了这些实验结果，结果表明自旋-电荷转换通过MoSe2/PtSe2界面处的逆Rashba-Edelstein效应介导，且由相邻LiNbO3表面的铁电性调控。这一工作凸显了场效应自旋轨道结构在新型THz技术中的重要性。
引用
@article{arxiv.2412.20108,
title = {Inverse Rashba-Edelstein THz emission modulation induced by ferroelectricity in CoFeB/PtSe2/MoSe2//LiNbO3 systems},
author = {S. Massabeau and O. Paull and A. Pezo and F. Miljevic and M. Mičica and A. Grisard and P. Morfin and R. Lebrun and H. Jaffrès and S. Dhillon and J. -M. George and M. Jamet and M. Bibes},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.20108},
year = {2025}
}
备注
13 pages, 4 figures, 35 references